我司功率單管 H3TRB 高溫高濕反偏試驗系統(tǒng)專為 Si/SiC/GaN 等材質(zhì)功率單管(二極管、MOSFET、IGBT 單管等)設(shè)計,可完成高溫高濕反偏可靠性測試、老化篩選及雙 85 試驗,精準(zhǔn)驗證單管在濕熱偏置工況下的長期穩(wěn)定性。
核心參數(shù)
環(huán)境能力
溫濕度箱:-20~180℃ / 10%~98% RH,溫度均勻性≤±2℃、濕度均勻性≤±3% RH
試驗容量
16 通道,單板 40工位 / 整機 640工位,支持批量單管測試
電源配置
8 臺反偏電源(60V~1200V),適配不同單管偏置需求
檢測精度
電壓:0~1200.0V(分辨率 0.1V,精度 ±(0.5% rdg.+0.1V))
漏電流:1nA~30mA(分辨率 1nA,精度 ±(0.5% rdg.+0.01μA))
核心優(yōu)勢
聚焦功率單管專屬測試場景,高通道 + 高精度檢測,高效篩選單管濕熱偏置下的潛在失效風(fēng)險,助力提升單管產(chǎn)品良率與應(yīng)用可靠性。




















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