高溫高濕反偏試驗系統(tǒng)專為 IGBT/SiC 模塊設計,可通過適配不同老化板,完成各類封裝形式模塊的高溫高濕反偏可靠性測試、高溫反偏試驗,老化篩選及雙 85 試驗,精準驗證模塊在濕熱偏置工況下的長期穩(wěn)定性。
核心參數(shù)
環(huán)境能力
高低溫(濕熱)箱:-70℃~+180℃ / 10~98% RH,覆蓋寬幅溫濕度場景
試驗容量
8 -12通道,單板最多 12 工位、整機最多 144 工位,適配批量測試需求
電源配置
3臺正壓 + 3臺負壓電源 + Vg 夾斷電壓(60V),量程 Max±2000V,滿塊偏置需求
檢測精度
電壓范圍:0~±2000.0V(分辨率 0.1V,精度 ±(0.5%+0.2V))
漏電流:0.001μA~50.0mA(分辨率 0.001μA,精度 ±(0.1% rdg.+0.01)μA),精準捕捉微弱性能變化
核心優(yōu)勢
適配 IGBT/SiC 模塊專屬測試場景,寬環(huán)境范圍 + 高精度檢測,助力快速篩選模塊潛在失效風險,提升產(chǎn)品可靠性驗證效率。

















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