我司功率單管 HTRB 高溫反偏試驗系統(tǒng)專為 Si/SiC/GaN 功率單管(二極管、MOSFET、IGBT 單管等)設(shè)計,可完成高溫環(huán)境下的反偏可靠性測試與老化篩選,精準(zhǔn)驗證單管在高溫偏置工況下的長期工作穩(wěn)定性。
核心參數(shù)
高溫環(huán)境
試驗箱溫度:RT~200℃,均勻性≤±3℃、波動度≤±0.5℃,模擬單管高溫工作場景
試驗容量
16 通道,單板 80 工位 / 整機1280 工位,支持批量單管測試
電源配置
8臺反偏電源(Max 1500V),獨立通道電壓輸出,適配不同單管耐壓需求
檢測精度
電壓:0~1500.0V(分辨率 0.1V,精度 ±(1% rdg.+1V))
漏電流:0.1uA~50mA(分辨率 0.1uA,精度 ±(0.1% rdg.+2μA))
核心優(yōu)勢
聚焦功率單管高溫反偏測試場景,高工位容量 + 高精度檢測,高效捕捉單管高溫偏置下的性能漂移,助力企業(yè)快速篩選瑕疵器件、提升產(chǎn)品良率。




















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