IGBT/SiC 模塊 HTRB 高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)專為 IGBT/SiC 功率模塊設(shè)計(jì),可完成各類封裝形式模塊的高溫反偏可靠性測(cè)試與老化篩選,精準(zhǔn)驗(yàn)證模塊在高溫偏置工況下的長(zhǎng)期運(yùn)行穩(wěn)定性。
核心參數(shù)
高溫環(huán)境
試驗(yàn)箱溫度:RT~175℃,均勻性≤±2℃、波動(dòng)度≤±0.5℃,適配模塊高溫工作場(chǎng)景
試驗(yàn)容量
8 通道,單板 12 工位 / 整機(jī) 80 工位,匹配模塊類產(chǎn)品的測(cè)試規(guī)模
電源配置
3臺(tái)正壓電源 + 3臺(tái)負(fù)壓電源(Max ±2000V)+Vg 夾斷電源(60V),滿塊多電壓偏置需求
檢測(cè)精度
反偏電壓:0~±2000.0V(分辨率 0.1V,精度 ±(0.5% rdg.+0.2V))
漏電流:0.001μA~50mA(分辨率 0.001μA,精度 ±(0.1% rdg.+0.01μA))
核心優(yōu)勢(shì)
適配 IGBT/SiC 模塊專屬測(cè)試場(chǎng)景,寬電壓范圍 + 高精度檢測(cè),可精準(zhǔn)捕捉模塊高溫偏置下的潛在失效風(fēng)險(xiǎn),助力企業(yè)優(yōu)化模塊設(shè)計(jì)、提升產(chǎn)品可靠性。

















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