詳細(xì)說明
生產(chǎn)的系列熱工設(shè)備:
【LPCVD產(chǎn)品簡(jiǎn)介】
LPCVD是用加熱的方式在低壓條件下使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并淀積形成穩(wěn)定固體薄膜。由于工作壓力低.氣體分子的平均自由程和擴(kuò)散系數(shù)大,故可采用密集裝片方式來提高生產(chǎn)率,并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD 用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、電力、電子、光電子及MEMS等行業(yè)的生產(chǎn)工藝中。
【產(chǎn) 品 特 點(diǎn)】
◆對(duì)工藝時(shí)間、溫度、氣體流量、閥門動(dòng)作、反應(yīng)室壓力實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制。
◆采用進(jìn)口壓力控制系統(tǒng),閉環(huán)控制,穩(wěn)定性強(qiáng)。
◆采用進(jìn)口耐腐蝕不銹鋼管件、閥門,確保氣路氣密性。
◆具有*的報(bào)警功能及安全互鎖裝置。
◆具有良好的人機(jī)界面,靈活的工藝性能。
◆采用工控機(jī)技術(shù),具有可靠地恒壓調(diào)整控制功能。
【主要技術(shù)指標(biāo)】
●適用硅片尺寸: 4~6"
●工作溫度及精度: 350 ~ 1000℃±1℃
●恒溫區(qū)長(zhǎng)度:700mm (可根據(jù)用戶需要設(shè)計(jì))
●升溫速率:0 ~ 15℃/分鐘 可調(diào)
●系統(tǒng)極限真空度:0.8 Pa
●工作壓力范圍:30 ~ 200Pa 可調(diào)
●淀積膜種類:Si3N4 SiO
●淀積膜均勻性:片內(nèi) <±3%; 片間 <±3%; 批間 <±4%
●淀積速率:200 ~300 ?/min (與淀積材料和工藝有關(guān))
●操作方式: 手動(dòng)、自動(dòng)
●滿足半導(dǎo)體集成電路,電力電子器件,光電子等行業(yè)用于在硅片上淀積Si O2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜工藝




















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