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力汕電子科技（上海）有限公司
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| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)GTEM-2
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地上海
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GTEM射頻輻射抗擾度測(cè)試系統(tǒng)是LISUN力汕根據(jù)IEC61000-4-3和GB/T17626.3標(biāo)準(zhǔn)要求基于GTEM技術(shù)開發(fā)的射頻抗擾度預(yù)測(cè)試系統(tǒng)，目前已廣泛應(yīng)用于電力、通信、、質(zhì)檢等領(lǐng)域，為評(píng)定小型電子設(shè)備對(duì)輻射電磁場(chǎng)干擾敏感性建立有力的測(cè)試依據(jù)
GTEM射頻輻射抗擾度測(cè)試系統(tǒng)是LISUN力汕根據(jù)IEC61000-4-3和GB/T17626.3標(biāo)準(zhǔn)要求基于GTEM技術(shù)開發(fā)的射頻抗擾度預(yù)測(cè)試系統(tǒng)，目前已廣泛應(yīng)用于電力、通信、、質(zhì)檢等領(lǐng)域，為評(píng)定小型電子設(shè)備對(duì)輻射電磁場(chǎng)干擾敏感性建立有力的測(cè)試依據(jù)。
采用GTEM進(jìn)行電磁兼容性測(cè)試是近年來國際電磁兼容領(lǐng)域發(fā)展的一項(xiàng)新的測(cè)量技術(shù)。由于GTEM的寬頻帶特性（從直流到微波），既可用于電磁輻射敏感度試驗(yàn)（EMS試驗(yàn)，有時(shí)也稱抗擾度試驗(yàn)），又可用于電磁輻射試驗(yàn)（EMI試驗(yàn)），而且所用儀器（相對(duì)在電波暗室中做試驗(yàn)來說）有配置簡單、成本便宜和可用于快速和自動(dòng)測(cè)試的特點(diǎn)，所以越來越受到國際和國內(nèi)有關(guān)人士的重視。其中尤以對(duì)待小設(shè)備的測(cè)試，GTEM測(cè)量方案是性能價(jià)格比的測(cè)試方案。
技術(shù)參數(shù)：
? 頻率范圍：DC~x GHz（x可以按照客戶要求配置）
? 輸入阻抗：50Ω±5Ω（典型值：50Ω±2Ω）
? 電壓駐波比：≤1.7（典型值：≤1.5）
? 輸入功率：1000W
? 電場(chǎng)強(qiáng)度范圍：0.01~200V/m(根據(jù)輸入功率大小)
? 同軸接頭：L16（N型）
| 產(chǎn)品型號(hào) | 尺寸(長*寬*高)mm | 凈空高度 | 屏蔽門(寬*高) | 3dB區(qū)域(寬*深*高） | EUT尺寸(寬*深*高） |
| GTEM-2 | 1950x950x700 | 350 | 300×260 | 200x200x100 | 260x400x130 |
| GTEM-3 | 2900x2000x1100 | 500 | 450×400 | 300x300x150 | 390x600x195 |
| GTEM-4 | 3900x2050x1350 | 750 | 700×605 | 450x450x200 | 585x900x260 |
| GTEM-5 | 5000x2550x1750 | 1000 | 900×700 | 600x600x300 | 780x1200x390 |
| GTEM-6 | 6000x3100x2150 | 1250 | 1000×900 | 700x700x350 | 910x1400x455 |
| GTEM-7 | 6950x3600x2350 | 1500 | 1200×950 | 850x850x450 | 1105x1700x585 |
| GTEM-8 | 8000x4050x2850 | 1750 | 1300×1000 | 1000x1000x500 | 1300x2000x650 |
射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)：
小室場(chǎng)均勻性特性（滿足0～6dB場(chǎng)均勻性要求）
GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)：
圖1 GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)
系統(tǒng)軟件：計(jì)算機(jī)中配標(biāo)準(zhǔn)的GP－IP接口卡，通過專用IEEE－488電纜與智能場(chǎng)強(qiáng)計(jì)聯(lián)接。采用主控計(jì)算機(jī)并配置必要的系統(tǒng)軟件，可完成對(duì)智能場(chǎng)強(qiáng)計(jì)與標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)源的同步控制，實(shí)現(xiàn)整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)的自動(dòng)化操作。
信號(hào)發(fā)生器：是帶有GP－IB接口的信號(hào)源。它同樣可進(jìn)行脫機(jī)或聯(lián)機(jī)操作。聯(lián)機(jī)時(shí)，接受計(jì)算機(jī)的指令，進(jìn)行相應(yīng)操作。
功率放大器： 對(duì)信號(hào)源的信號(hào)進(jìn)行放大，并送至GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)內(nèi)形成所需的場(chǎng)強(qiáng)值。
場(chǎng)強(qiáng)探頭：測(cè)量GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度，并將場(chǎng)強(qiáng)信號(hào)的電平值（模擬信號(hào)）通過專用插頭與電纜送至智能場(chǎng)強(qiáng)計(jì)進(jìn)行處理。
場(chǎng)強(qiáng)監(jiān)視儀： 接受測(cè)試探頭輸入的模擬信號(hào)，對(duì)信號(hào)進(jìn)行處理，在液晶屏幕上顯示GTEM室內(nèi)探頭位置上的場(chǎng)強(qiáng)值。智能場(chǎng)強(qiáng)可獨(dú)立于計(jì)算機(jī)而進(jìn)行操作（通過面板的按鈕，詳見使用說明）；也可通過GP－IB（IEEE－488）接口與計(jì)算機(jī)聯(lián)機(jī)處理。
GTEM吉赫芝橫電磁波室：它接受放大器的輸出信號(hào)后形成所需的電場(chǎng)。場(chǎng)強(qiáng)的大小可由測(cè)試探頭測(cè)出。
GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖：
圖2 GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖
吉赫芝橫電磁中心處的電場(chǎng)強(qiáng)度為：
E：電磁場(chǎng)強(qiáng)度的垂直分量
Po： 饋至赫芝橫電磁波室的射頻功率
Rc： 吉赫芝橫電磁波室的特性阻抗
d： 芯板與上下板之間的垂直距離
從式中可見較小赫芝橫電磁波室的芯板與上、下底板間的尺寸，可獲得較大的場(chǎng)強(qiáng)值。
系統(tǒng)實(shí)物圖如下：
圖3 GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)實(shí)樣參考圖
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