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產(chǎn)品型號(hào)GTEM-1
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地上海
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GTSI射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)是在橫電磁波室（TEM室）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)一種新型電磁兼容測(cè)試設(shè)備（采用非對(duì)稱矩形結(jié)構(gòu)模擬自由空間在小室內(nèi)部產(chǎn)生TEM電磁波），滿足IEC61000-4-3、GB/T17626.3標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試要求
GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)是在橫電磁波室（TEM室）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)一種新型電磁兼容測(cè)試設(shè)備（采用非對(duì)稱矩形結(jié)構(gòu)模擬自由空間在小室內(nèi)部產(chǎn)生TEM電磁波），滿足IEC61000-4-3、GB/T17626.3標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試要求。
采用GTEM進(jìn)行電磁兼容性測(cè)試是近年來(lái)國(guó)際電磁兼容領(lǐng)域發(fā)展的一項(xiàng)新的測(cè)量技術(shù)。由于GTEM的寬頻帶特性（從直流到微波），既可用于電磁輻射敏感度試驗(yàn)（EMS試驗(yàn)，有時(shí)也稱抗擾度試驗(yàn)），又可用于電磁輻射試驗(yàn)（EMI試驗(yàn)），而且所用儀器（相對(duì)在電波暗室中做試驗(yàn)來(lái)說(shuō)）有配置簡(jiǎn)單、成本便宜和可用于快速和自動(dòng)測(cè)試的特點(diǎn)，所以越來(lái)越受到國(guó)際和國(guó)內(nèi)有關(guān)人士的重視。其中尤以對(duì)待小設(shè)備的測(cè)試，GTEM測(cè)量方案是性能價(jià)格比的測(cè)試方案。
技術(shù)參數(shù)：
? 頻率范圍：DC 0~2GHz
? 輸入阻抗：50Ω±5Ω（典型值：50Ω±2Ω）
? 電壓駐波比：≤1.7（典型值：≤1.5）
? 輸入功率：1000W
? 電場(chǎng)強(qiáng)度范圍：0.01－200V/m(根據(jù)輸入功率大小)
? 同軸接頭：L16（N型）
? 外型尺寸：4m×2.5m×2m
小室場(chǎng)均勻性特性（滿足0～6dB場(chǎng)均勻性要求）
GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)：
圖1 GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)
系統(tǒng)軟件：計(jì)算機(jī)中配標(biāo)準(zhǔn)的GP－IP接口卡，通過(guò)專用IEEE－488電纜與智能場(chǎng)強(qiáng)計(jì)聯(lián)接。采用主控計(jì)算機(jī)并配置必要的系統(tǒng)軟件，可完成對(duì)智能場(chǎng)強(qiáng)計(jì)與標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)源的同步控制，實(shí)現(xiàn)整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)的自動(dòng)化操作。
信號(hào)發(fā)生器：是帶有GP－IB接口的信號(hào)源。它同樣可進(jìn)行脫機(jī)或聯(lián)機(jī)操作。聯(lián)機(jī)時(shí)，接受計(jì)算機(jī)的指令，進(jìn)行相應(yīng)操作。
功率放大器： 對(duì)信號(hào)源的信號(hào)進(jìn)行放大，并送至GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)內(nèi)形成所需的場(chǎng)強(qiáng)值。
場(chǎng)強(qiáng)探頭：測(cè)量GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度，并將場(chǎng)強(qiáng)信號(hào)的電平值（模擬信號(hào)）通過(guò)專用插頭與電纜送至智能場(chǎng)強(qiáng)計(jì)進(jìn)行處理。
場(chǎng)強(qiáng)監(jiān)視儀： 接受測(cè)試探頭輸入的模擬信號(hào)，對(duì)信號(hào)進(jìn)行處理，在液晶屏幕上顯示GTEM室內(nèi)探頭位置上的場(chǎng)強(qiáng)值。智能場(chǎng)強(qiáng)可獨(dú)立于計(jì)算機(jī)而進(jìn)行操作（通過(guò)面板的按鈕，詳見(jiàn)使用說(shuō)明）；也可通過(guò)GP－IB（IEEE－488）接口與計(jì)算機(jī)聯(lián)機(jī)處理。
GTEM：吉赫芝橫電磁波室。它接受放大器的輸出信號(hào)后形成所需的電場(chǎng)。場(chǎng)強(qiáng)的大小可由測(cè)試探頭測(cè)出。
GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖：
圖2 GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖
吉赫芝橫電磁中心處的電場(chǎng)強(qiáng)度為：
E：電磁場(chǎng)強(qiáng)度的垂直分量
Po： 饋至赫芝橫電磁波室的射頻功率
Rc： 吉赫芝橫電磁波室的特性阻抗
d： 芯板與上下板之間的垂直距離
從式中可見(jiàn)較小赫芝橫電磁波室的芯板與上、下底板間的尺寸，可獲得較大的場(chǎng)強(qiáng)值。
系統(tǒng)實(shí)物圖如下：
圖3 GTSI 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)系統(tǒng)實(shí)樣參考圖
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