ID2206驅動可用于驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT構成的半橋拓撲結構。其浮地通道能工作在600V的高壓下。是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動芯片。
ID2206D半橋柵極驅動芯片輸入信號可以兼容CMOS和LSTTL信號,邏輯輸入電平低至3.3V。具有大電流輸出能力,輸入端具有有效電平邏輯互鎖功能,能夠有效的防止輸出功率管共態(tài)導通。芯片良好的延時匹配功能可以輕松的適用于高頻應用場合。
ID2206驅動特性
■ 高側浮動偏移電壓600V
■ 輸入信號兼容3.3V 和5V邏輯電平
■ dV/dt 抗干擾能力±50V/nsec
■ 內置自舉二極管
■ 芯片工作電壓范圍 10V ~20V
■ 高低側均具有欠壓保護功能
■ 輸出拉灌電流能力210mA / 360mA
■ 高低側通道均延時匹配
■ 死區(qū)時間典型值為150 ns
封裝/訂購信息

典型電路圖

應用領域
■ 高壓風機
■ 風筒
■ 家電產品
ID2206D 600V半橋柵極驅動芯片,輸入功率電壓高達 600V,兼容 3.3V, 5V 邏輯工作電平,10-20V 寬范圍工作電壓范圍,具有防直通保護、欠壓保護等多種功能,典型應用于高壓風機和泵、步進馬達等,可兼容代換ir2106驅動。




















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