1、主要特點(diǎn)：

•  數(shù)字化系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計(jì)、MEMS工藝制造

•  微一體化、同步測(cè)量壓力和溫度

•  一體化封裝結(jié)構(gòu)魯棒、可靠、性能穩(wěn)定

•  多種壓力與溫度類型組合、量程范圍寬

•  適于壓力傳感器智能化               

 2、主要性能技術(shù)指標(biāo)

序號(hào)	項(xiàng)目	規(guī)格指標(biāo)								備注
1	組合敏感類型	表壓-溫度	絕壓-溫度		表壓-絕壓-溫度差			壓-靜壓-溫度
2	壓力敏感芯片材質(zhì)	SOI硅單晶
3	溫度元件類型	擴(kuò)散硅、薄膜鉑電阻
4	基準(zhǔn)壓力量程	表壓、		絕壓		差壓			靜壓	1*
		30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa		100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、		10kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa			1MPa、6MPa、 10MPa、30MPa	2*
5	壓力過(guò)載能力	表壓、絕壓?jiǎn)蜗颉?倍（≤10MPa）、≥2倍（＞10MPa）					差壓雙向≥5倍基準(zhǔn)量程			1*
6	被測(cè)介質(zhì)	與金屬、單晶硅兼容的非腐蝕性、絕緣氣體和液體
7	激勵(lì)電源	12±4VDC或 24±4VDC
8	輸出阻抗	200Ω（典型值）								3*
9	壓力輸出信號(hào)模式	0.5～5VDC								2*、3*、4*
10	壓力準(zhǔn)確度	≤ ±0.25%FS （典型值）								3*、4*
11	工作溫度	-55～+125℃；-55～+180℃；-55～+240℃；-55～+300℃；								5*、6*、2*
12	熱零點(diǎn)漂移	≤± 1%FS/55℃								7*
13	熱靈敏度漂移	≤±1%F.S /55℃								7*
14	熱電阻標(biāo)稱阻值	擴(kuò)散硅30～60kΩ；鉑薄膜Pt100，Pt200，Pt500、Pt1000；								2*
15	熱電阻溫度系數(shù)	擴(kuò)散硅≥30Ω/℃；鉑薄膜3850ppm/℃；								2*
16	絕緣電阻	>100MW								3*、8*
17	短期穩(wěn)定性	±0.05%FS/8h								3*
18	長(zhǎng)期穩(wěn)定性	≤±0.1%FS/年								3*
19	電氣連接形式	多芯線纜
20	測(cè)量接口形式	外螺紋、法蘭

注：1^*. 無(wú)注明，差壓為單壓力敏感器件；                        2^*. 可用戶定制；

      3^*. 恒溫25℃；                                               4^*. 非線性算法為最小二乘法；

             5^*.;接插件和放大器工作溫度-55℃～+125℃；           6^*.-55℃為溫度，+400℃為溫度；

             7^*. -55～25℃或25～80℃；                                      8^*. 100VDC；      

 注：可提供定制服務(wù)，如有需求請(qǐng)與營(yíng)銷人員聯(lián)系。